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在了解问题的核心之前,我们首先需要了解半导体的基本知识。半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料。本征半导体(纯半导体)的特性和导电性可以通过添加杂质来改变;向半导体中添加杂质的过程称为掺杂。最常见的半导体是砷化物和镓等化合物或锗和硅等纯元素。本文对两种基本半导体特征进行分析。
半导体分为两类:本征半导体和外征半导体。在本节中,我们将简要介绍本征半导体、其制造和应用。我们还将讨论内源半导体和外源半导体之间的重要区别。
纯净、不含杂质的半导体称为本征半导体。在这类半导体中,电子数等于空穴数。
本征半导体又称纯半导体或无杂质半导体,是不含缺陷和其他元素杂质的完美晶体。 所有半导体材料,即使是掺杂了其他元素的材料,都具有固有特性,杂质会引入其他理想特性。
本征的意思是内在的、天然的,本征半导体具有半导体材料本身的基本特性,而不是杂质和不纯物。由于硅和锗是元素半导体,因此它们是最常用的本征半导体。它们是最早被广泛研究和使用的半导体之一。半导体的特性基于其电学结构,电学结构决定了半导体的基本特性,也是半导体作为一种特殊材料而与众不同的机理之一。
通过使用少量合适的原子(称为杂质),可以提高半导体的导电性。在纯半导体中添加杂质称为掺杂。一般来说,在外层半导体中,107 中的一个原子被外来原子取代。
外来半导体可分为两种类型:N 型半导体、P 型半导体。
N 型半导体的特性
(1)完全中性。
(2)I = Ie 和 ne >> nh
(3)大部分电子和少数空穴。
如果在纯半导体(Si 和 Ge)中加入五价掺杂物(Sb、As、Bi、P),你会发现五价键中的四个电子会与 Si 和 Ge 的四个电子形成键合。掺杂剂的第五个电子是自由电子。在这种情况下,不纯原子会放弃一个自由电子在晶格中传导,这就是所谓的供体。电子数随着掺杂剂的加入而增加。因此,负电荷载流子的数量也随之增加。由于在传导过程中会释放出许多电子,因此 N 型半导体中的电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
P 型半导体的特性
(1)导电性主要由空穴产生。
(2)完全中性。
(3)I = Ih,nh >> no
(4)多数--空穴,少数--电子。
当在纯半导体中加入三价杂质(B、Ge、Al、In)时,杂质的三个价电子会与半导体的四个价电子结合。在这种情况下,杂质电子缺失。这些掺杂原子现在可以接受结合的电子,被称为受体。掺杂物数量的增加伴随着空穴数量的增加,因此被称为 P 型半导体。
半导体是在导体和绝缘体之间具有导电性的器件,在日常生活中广泛使用,如晶体管、齐纳二极管、太阳能电池板、开关、电路等。半导体分为两种类型:本征半导体和外在半导体。本征半导体是纯半导体,是不存在任何杂质或掺杂的物质。非本征半导体是通过添加足够量的杂质来制备的。
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